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    等離子增強化學氣相沉積爐(PECVD系統)

    簡要描述:

    等離子增強化學氣相沉積爐(PECVD系統)是借助于放電等離子體使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應,從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術。由于PECVD技術是通過應氣體放電來制備薄膜的,有效地利用了非平衡等離子體的反應特征,從根本上改變了反應體系的能量供給方式。

    型號:

    城市:上海市

    訪問量:4045

    更新時間:2021-11-18

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    等離子增強化學氣相沉積爐(PECVD系統)
      一、等離子增強化學氣相沉積爐(PECVD系統)的應用:
      PECVD工藝中由于等離子體中高速運行的電子撞擊到中性的反應氣體分子,就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態容易發生反應;借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體,在局部形成離子體,而等離子體化學活性很強,很容易反應,在基片上沉積出所期望的薄膜;具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較少、不易龜裂等優點;
     
      二、產品特點:
      1、整機采用SUS304不銹鋼材質,流線型外觀,真空吸附成型的優質高純氧化鋁多晶纖維固化爐膛,保溫性能好。
      2、爐子底部裝有一對滑軌,移動平穩,可以手動從一端滑向另一端,實現快速的加熱和冷卻。爐蓋可開啟,可以實時觀察加熱的物料。
       3、采用高純石英管,高溫下化學穩定性強,耐腐蝕,熱膨脹系數極小。
      4、采用SUS304不銹鋼快速法蘭,通過用高溫“O”型圈緊密密封可獲得高真空,一個卡箍就能完成法蘭的連接,放、取物料方便快捷。
      5、加熱元件采用康奈爾發熱絲,表面負荷高、經久耐用。設計溫度1200℃,升溫速率10℃/min。
      6、可選配多路質量流量計,數字顯示、氣體流量自動控制;內置不銹鋼混氣箱,每路氣體管路均配有逆止閥,可通過控制面板上的旋鈕來調節氣體流量。
      7、等離子射頻電源:大射頻功率達500W,輸出頻率13.56MHz±0.005%,輸入電源 208-240VAC,單相50/60Hz。
     
      三、技術參數:

     

    型號

    HTF1200-2.5/20-2M-LV-PE 

    HTF1200-5/20-4M-LV-PE 

    HTF1200-6/40-2M-HV-PE 

    HTF1200-8/40-4M-HV-PE 

    設計溫度(℃)

    1200 

    1200 

    1200 

    1200 

    控溫精度(℃)

    ±1 

    ±1

    ±1 

    ±1 

    加熱區直徑(mm)

    25 

     50

    60 

    80 

    加熱區長度(mm)

    200 

     200 

    400 

    400 

    加熱管長度(mm)

    450 

    450 

    1000 

    1000 

    恒溫區長度(mm)

    80 

    80 

    150 

    150 

    額定電壓(V)

    220 

    220 

    220 

    220

    額定功率(KVA)

    1.2 

    1.2 

    射頻電源功率(W)

    5~300 

    5~300 

    5~500 

    5~500 

    真空機組

    HTF-101 

    HTF-101 

    HTF-104 

    HTF-104 

    供氣系統

    HTF-2F 

    HTF-4F

    HTF-2M 

    HTF-4M 

     

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